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Package Information
www.vishay.com
PowerPAK ? SO-8, (Single/Dual)
Vishay Siliconix
H
E2
K
L
1
2
3
4
W
L1
Z
D
E3
E4
1
2
3
4
θ
θ
A1
Backside View of Single Pad
H
E2
E4
K
L
2
E1
E
Detail Z
D1
1
2
3
D2
4
Notes
1. Inch will govern.
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs.
3. Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs.
MILLIMETERS
E3
Backside View of Dual Pad
INCHES
DIM.
MIN.
NOM.
MAX.
MIN.
NOM.
MAX.
A 0.97
A1
b 0.33
c 0.23
D 5.05
D1 4.80
D2 3.56
D3 1.32
1.04
-
0.41
0.28
5.15
4.90
3.76
1.50
1.12
0.05
0.51
0.33
5.26
5.00
3.91
1.68
0.038
0
0.013
0.009
0.199
0.189
0.140
0.052
0.041
-
0.016
0.011
0.203
0.193
0.148
0.059
0.044
0.002
0.020
0.013
0.207
0.197
0.154
0.066
D4
D5
0.57 typ.
3.98 typ.
0.0225 typ.
0.157 typ.
E 6.05
E1 5.79
E2 (for AL product) 3.30
6.15
5.89
3.48
6.25
5.99
3.66
0.238
0.228
0.130
0.242
0.232
0.137
0.246
0.236
0.144
E2 (for other product)
3.48
3.66
3.84
0.137
0.144
0.151
E3 3.68
3.78
3.91
0.145
0.149
0.154
E4 (for AL product)
E4 (for other product)
e
K (for AL product)
K (for other product)
0.58 typ.
0.75 typ.
1.27 BSC
1.45 typ.
1.27 typ.
0.023 typ.
0.030 typ.
0.050 BSC
0.057 typ.
0.050 typ.
K1 0.56
H 0.51
L 0.51
L1 0.06
-
0.61
0.61
0.13
-
0.71
0.71
0.20
0.022
0.020
0.020
0.002
-
0.024
0.024
0.005
-
0.028
0.028
0.008
?
0°
-
12°
0°
-
12°
W 0.15
0.25
0.36
0.006
0.010
0.014
M
ECN: C13-0702-Rev. K, 20-May-13
DWG: 5881
Revison: 20-May-13
0.125 typ.
1
0.005 typ.
Document Number: 71655
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SI7159DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 30A 83W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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